10月15日,中國科學院院士、西安電子科技大學博士生導師郝躍教授蒞臨宇騰科技。郝院士作為我國第三代半導體領域的開拓者和引領者,為我國氮化物第三代半導體電子器件步入國際領先行列作出了重要貢獻。此次蒞臨為宇騰科技全體員工鼓舞了力量,為我們在氮化鎵領域不懈努力注入一劑強心針。
郝院士一行先后參觀了企業(yè)GaN磊晶無塵室、真空pump維保車間等,了解企業(yè)發(fā)展并與宇騰科技董事長、總經(jīng)理座談交流。郝院士表示GaN是充滿希望和未來的好材料,鼓勵正處于爬坡階段的宇騰科技要有信心,堅持不懈。
感謝郝院士蒞臨指導,宇騰科技堅定信念,繼續(xù)創(chuàng)新拼搏,為第三代半導體發(fā)展貢獻力量!
郝躍
中國科學院 院士
郝躍,中國科學院院士,西安電子科技大學教授、博士生導師、學術委員會主任。全國人大代表,全國僑聯(lián)常委、陜西省僑聯(lián)主席。長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養(yǎng),是國家重大基礎研究(973)計劃項目首席科學家、國家有突出貢獻的中青年專家和微電子技術領域的著名專家。他在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波毫米波器件、半導體照明短波長光電材料與器件研究和應用、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。作為我國第三代半導體領域的開拓者和引領者,為我國氮化物第三代半導體電子器件步入國際領先行列作出了重要貢獻。